頻分雙工的LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備，其上/下行的數(shù)據(jù)峰值吞吐量，在不同的技術(shù)階段是不相同的，LTE FDD系統(tǒng)隨著引入不同的LTE-A增強(qiáng)技術(shù)，其數(shù)據(jù)峰值吞吐量在不斷的提高。目前，其技術(shù)階段已有四個(gè)階段（各階段與3GPP規(guī)范版本的對(duì)應(yīng)關(guān)系詳見(jiàn)下表0），下述依據(jù)我國(guó)相關(guān)通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，分階段介紹LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能要求。
表 0：LTE FDD系統(tǒng)不同技術(shù)階段與3GPP規(guī)范版本的對(duì)應(yīng)關(guān)系
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一、第一階段（Phase 1）
我們知道，對(duì)于LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備第一階段的相關(guān)技術(shù)要求，是其最基本的技術(shù)要求，后續(xù)階段是在第一階段的基礎(chǔ)上，分別引入了不同的增強(qiáng)功能或其演進(jìn)技術(shù)，致使系統(tǒng)的數(shù)據(jù)峰值吞吐量得到了進(jìn)一步的提高。因此第一階段基站設(shè)備上/下行的數(shù)據(jù)峰值吞吐量相對(duì)較低，具體詳見(jiàn)下表1。由表可知，上/下行數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能與采用的系統(tǒng)帶寬、傳輸流數(shù)及調(diào)制方式等因素相關(guān)。
表 1：LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備第一階段的數(shù)據(jù)峰值吞吐量
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二、第二階段（Phase 2）
在第二階段，此時(shí)由于LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備引入了包括載波聚合（CA）、多天線技術(shù)增強(qiáng)、增強(qiáng)小區(qū)間干擾協(xié)調(diào)、多點(diǎn)協(xié)助傳輸?shù)仍鰪?qiáng)技術(shù)功能，上/下行理論數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能得到了很大的提高。如采用系統(tǒng)帶寬為20MHz+20MHz的載波聚合（CA）技術(shù)時(shí)的性能詳見(jiàn)下表2-1（注意：它與終端傳輸能力等級(jí)及調(diào)制方式（上行）相關(guān)）；下表2-2給出了上行MIMO增強(qiáng)的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能要求（R10版本）。
表 2-1：LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備載波聚合（CA）的理論數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能
表 2-2：LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備上行MIMO增強(qiáng)的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能
三、第三階段（Phase 3）
在第三階段，此時(shí)由于LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備引入了包括載波聚合增強(qiáng)、雙連接（DC）、小小區(qū)增強(qiáng)、多天線技術(shù)增強(qiáng)、ePDCCH等增強(qiáng)技術(shù)，使得LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備上/下行理論數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能得到了進(jìn)一步的提高。
1、載波聚合增強(qiáng)的性能
當(dāng)LTE FDD系統(tǒng)下行鏈路采用系統(tǒng)帶寬為20MHz+20MHz+20MHz的3載波聚合技術(shù)（下行64QAM調(diào)制、雙流）、上行鏈路采用系統(tǒng)帶寬為20MHz+20MHz的載波聚合技術(shù)時(shí)，上/下行數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能詳見(jiàn)下表3-1的要要求。
表 3-1：LTE FDD系統(tǒng)基站（eNB）設(shè)備載波聚合增強(qiáng)的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能
另外，LTE FDD系統(tǒng)可以采用TDD+FDD載波聚合，此時(shí)，TDD、FDD載波下行數(shù)據(jù)峰值吞吐量均能達(dá)到單載波的峰值。TD-LTE、LTE FDD聚合帶寬為20MHz+20MHz，TD-LTE幀結(jié)構(gòu)為上下行比例配置2、特殊時(shí)隙配置7（10:2:2）時(shí)，終端層1的下行數(shù)據(jù)峰值吞吐量約為260Mbit/s（下行64QAM調(diào)制、雙流）。
2、高階調(diào)制的性能
當(dāng)LTE FDD系統(tǒng)基站支持上行64QAM調(diào)制時(shí)和支持下行256QAM調(diào)制時(shí)，其層1的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能詳見(jiàn)下表3-2的要求。
表 3-2：LTE FDD系統(tǒng)基站支持高階調(diào)制的數(shù)據(jù)峰值吞吐量性性能要求（第三階段）
3、上行MIMO增強(qiáng)的性能
當(dāng)LTE FDD系統(tǒng)基站支持上行MIMO增強(qiáng)技術(shù)，采用上行TM2（2Lyer空間復(fù)用）時(shí)，其層1的上行數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能約為100Mbit/s（16QAM）或150Mbit/s（64QAM）。
四、第四階段（Phase 4）
在第四階段，進(jìn)一步引入了LTE FDD基站設(shè)備的基于3GPP的R13版本、R14版本、R15版本所提出的Massive-MIMO、NR雙連接（NR-DC）、載波聚合增強(qiáng)及其它增強(qiáng)技術(shù)，使得LTE FDD基站設(shè)備的上/下行理論數(shù)據(jù)峰值吞吐量性能要求又有所不同。
1、LTE FDD上行載波聚合增強(qiáng)的性能要求
LTE FDD基站設(shè)備載波下行數(shù)據(jù)峰值吞吐量均能達(dá)到單載波的峰值。LTE FDD基站設(shè)備單載波（系統(tǒng)帶寬為20MHz）的終端層1的上行據(jù)峰值吞吐量約為50Mbit/s（上行16QAM調(diào)制）或75Mbit/s（上行64QAM）。LTE FDD基站設(shè)備小區(qū)上行載波聚合的理論據(jù)峰值吞吐量要求詳見(jiàn)下表4-1的要求。
表 4-1：LTE FDD基站設(shè)備小區(qū)上行載波聚合的理論據(jù)峰值吞吐量（第四階段）
2、TDD + FDD載波聚合增強(qiáng)的性能要求
關(guān)于TDD + FDD載波聚合增強(qiáng)的理論據(jù)峰值吞吐量性能要求請(qǐng)?jiān)斠?jiàn)下表4-2中。
表 4-2：TDD + FDD載波聚合增強(qiáng)的理論據(jù)峰值吞吐量性能要求（第四階段）
3、MIMO性能
當(dāng)LTE FDD系統(tǒng)支持最高8個(gè)DMRS端口時(shí)，小區(qū)上下行理論據(jù)峰值吞吐量性能要求詳見(jiàn)下表4-3。
表 4-3：LTE FDD基站設(shè)備支持MIMO的理論據(jù)峰值吞吐量性能要求（第四階段）
上述是依據(jù)我國(guó)相關(guān)通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，匯總的LTE FDD系統(tǒng)基站設(shè)備峰值吞吐量性能在各技術(shù)階段的不同要求。基于其不同的LTE-A增強(qiáng)技術(shù)，其要求有所不同，尤其是當(dāng)采用的載波聚合技術(shù)、MIMO技術(shù)、高階調(diào)制（n-QAM）技術(shù)等。
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